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标题: 航模电调 DIY —— 第1季,硬件 [打印本页]

作者: Angus    时间: 2015-9-23 16:09
标题: 航模电调 DIY —— 第1季,硬件
本帖最后由 Angus 于 2018-11-4 20:05 编辑

原理图 Mini5D_fly.pdf (44.43 KB, 下载次数: 4361)
Mini51复位后GPIO全是输入状态,驱动三极管 Q9,Q1 截止,所以上 MOS 功率管 Q6 截止。  下 MOS 功率管 Q5 由于 R12 的存在也截止。

上功率管驱动:
    下功率管 Q5 导通时,输出端接地,电容 C1 通过 D2 充电到 Vin。
    下功率管 Q5 截止时,Q9,Q1的导通,电容 C1 上充满到 Vin 的电压通过 Q1,D1 加在 Q6 的 GS 两端,上功率管 Q6 导通,输出电源电压。
    以上分析可知,上功率管 Q6 导通时,电容 C1 正端对地电压是 Vin 的两倍,这个电压通过 Q1 的 EB 极,几乎全加在 Q9 的 C 极。所以 Q9 耐压要高。R15 控制 Q9 的 E 极电流为 4.3V/R15 = 4.3mA,控制 Q9 的发热量。

此电路上功率管的驱动电压是 Vin,所以工作电压最多是20V, 再高会击穿功率管。若您需要电压在 20V 以上时仍能正常工作,L2 就不能接 Vin ,而是接到 15V 电压上,这要额外加个稳压器,Q9 的 C 极最高电压为 Vin + 15V 。Q9 的 C 极可能要串个电阻来分担热量。



过流保护:
电流采样电阻 R2 = 1 毫欧, 经 R3/C2 接入比较器负端——Mini51第32脚,R3/C2 滤波常数只能两三微秒,否则 RC 的延时可能会让功率管烧坏后才发现过流。Mini51 第1脚——比较器正端 R4/R5 分压得 0.1V,所以电流等于 0.1V/1毫欧 = 100A 时,比较器驱动短路保护——Brake,关断六路功率管。
Layout 要让 R5 与 R2 在同一点接地,干扰小不容易误动作。
若不要过流保护,R2 短接,修改软件可以 R3, C2,R4, R5 不焊。

过零检测:
    若想启转效果好,必须在很低的转速就能检到过零,过零检测分压比要尽量小,否则反电势衰减很多,难检到过零点。本图 10K:20K,反电势衰减1/3。工作电压 15V 时分压到 5V, 接入 Mini51 仍不超压。由于 R59~R61 的存在,工作电压到 20V 时,Mini51 片内比较器仍可正常工作。

减小 PWM 干扰:
1> 干扰要在源头滤除,输出端电容C10,C19,C20——1UF左右,对输出的 PWM 滤波,串 5.1欧电阻是电容充放电限流。
2> 无电流的长线相当于天线易受干扰,所以 R22~R24 应靠近 Mini51,信号线上有电流不易受干扰。C16~C18选1nF对 PWM 滤波。
3> 上MOS导通时,自举电容 C1 上电压瞬间会升到电源两倍,通过二极管 D2 的 PN 结电容,串到电源一个高压尖峰,在二极管上串一磁珠 L2,会很好的抑制这个高压尖峰串扰到单片机电源端。
4> 给 Mini51 供电的 7805 前面加个磁珠 L3 可很好的阻止 PWM 干扰串到 Mini51 的 VDD 端。


欢迎航模爱好者提问、讨论。

般模电调DIY——第2季,单片机如何控制 BLDC 转动 http://www.nuvoton-mcu.com/forum.php?mod=viewthread&tid=1458&extra=page%3D2





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MOS驱动可以减化成下图 Mini5D_fly_.pdf (41.76 KB, 下载次数: 3571)
这个图因为 D6 的存在让三极管 Q9 只能把功率管 G 极电压拉低到 0.8V 左右,而上 MOS 功率管刚关断瞬间,电机电感从下功率管续流会把输出端电压拉低到接近负 1 伏,这样上MOS功率的 GS 电压需更长时间才能降到 1.5V 以下。关断速度变慢,会让功率管发热较多。所以这样改变后,上功率管最好选 GS 导通门限电压稍高一点的 。



原理图还可以进一步减化,把上图中 Q1 省去,把 D6 直接短接。去掉了 D6,上 MOS 功率管的关断时间加快,同时又不得不把 R18 减小到 1K 以下, 以加快功率管导通时间。 这样 R18 会较热,在电机不转时,可让 R18 无电流——把 Q9 关断,以减小发热量。

后面讲的这两种简化电路,最好让 下 MOS 功率管做 PWM, 降低上功率管的开关频率,就是减小开关功耗,这要改代码中换相数组的定义。具体请看 Mini51 的 资料,或向芯唐咨寻。



3 x 3.6V 航模电调,21万转波形, 周期 0.28 毫秒















作者: zulolo    时间: 2015-10-6 15:45
如果自己玩对体积和重量没太大要求的话可以参考我这个电调,两块PCB板,一块是driver一块是bridge,叠起来用,短时电流到40A前一阵工作太忙没玩这个,接下来准备先把RF PA的弄出来,别问我到几瓦
附件是电路图, Gerber和FW,source code可能不太遵守coding standard, 注释也不多,凑合着玩吧,如果有人帮忙整理下感激不敬。 有兴趣站内交流


mosfet_driver.pdf

23.54 KB, 下载次数: 3768

Driver schematic

mosfet_bridges.pdf

23.99 KB, 下载次数: 3770

Bridge schematic

Bridge.rar

24.71 KB, 下载次数: 3648

Bridge Gerber

DriverII_C.rar

34.71 KB, 下载次数: 3631

Driver Gerber

Zulolo_F_Force.rar

2.86 MB, 下载次数: 1936

FW


作者: xiaoxiao2013    时间: 2015-10-7 14:25
zulolo 发表于 2015-10-6 15:45
如果自己玩对体积和重量没太大要求的话可以参考我这个电调,两块PCB板,一块是driver一块是bridge,叠起来 ...

软件流程有大致介绍吗?
作者: xiliu2015    时间: 2015-10-12 13:40
二楼 zulolo的方案休息日无事时浏览过,做的并不好,大家可以不用花精力去看,建议直接关注新唐的方案。
另外新唐的方案目前的代码与商业电调相比性能如何?
作者: carolchang    时间: 2015-10-15 14:55
推一下
作者: Angus    时间: 2015-10-18 15:07
本帖最后由 Angus 于 2016-3-10 15:58 编辑
xiliu2015 发表于 2015-10-12 13:40
二楼 zulolo的方案休息日无事时浏览过,做的并不好,大家可以不用花精力去看,建议直接关注新唐的方案。
另 ...

芯唐早期的方案,电机的适应性是稍差一点,但这个方案性能有很大提高

作者: zulolo    时间: 2015-10-20 08:47
xiaoxiao2013 发表于 2015-10-7 14:25
软件流程有大致介绍吗?

和新唐的方案基本一样,不过用了状态机,去掉了很多原来新唐代码里面空跑wait的情况。同时还有一些noise过滤的小改动。电机尺寸就是常见的新达西那种,试了几种比较低KV的,从800多KV到1600KV,浆也试了几种大的,具体型号记不清了好像是1210附近的尺寸,我比较喜欢大的,转速快到5K RPM都没问题,电流也不大,发热完全可接受。btw,新唐的那几个专门负责电机的寄存器实在好用。
作者: zh_angei    时间: 2016-1-29 11:31
不错不错受教了
作者: ketose    时间: 2016-4-16 11:59
太棒了。。。
作者: xiaoxiao2013    时间: 2017-5-5 14:14
建议不要关注这个代码,直接看新唐的要好于这个




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