牛卧堂MCU技术交流
标题:
新唐M0 FMC功能当EEPROM 擦写次数
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作者:
joyall
时间:
2014-4-23 00:23
标题:
新唐M0 FMC功能当EEPROM 擦写次数
想用M0的FMC擦写DATA FLASH, 充当EEPROM,省掉一个24C02,不知道这块FLASH可以擦写多少次?
为避免EEPROM失效数据保存不下来,有以下方法:
1 延时保存,有数据变化后,不立即保存,后面可能隔几秒又有数据更新,这个数据是外部遥控器触发的。
2 写进去后,读出来,看FLASH是否失效,如果失效,跳过这块,往后面的FLASH里面存,划1K FLASH出来,够存很多次了。
方法2可行性比较高,但是我还是想知道,这个FLASH倒底可以擦写多少次?
作者:
a_ziliu
时间:
2014-4-25 21:14
可以作erase 10K次
作者:
joyall
时间:
2014-6-16 10:00
谢谢回复
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