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标题: nm1120程序驱动高压bldc电机，下载器怎么配置好 [打印本页]

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-15 10:45
标题: nm1120程序驱动高压bldc电机，下载器怎么配置好
各位大佬，nm1120程序驱动高压bldc电机，下载器怎么配置好？

欠压电压选择多少？我是5V供电
欠压使能和欠压复位这边启动后I/O状态我选择什么

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-15 10:53
int main()  还有我这样配置芯片上电eeprom读取对吗？有影响吗
{
unsigned int i;
unsigned int j;
/* Initialize at begining */

/* Initialize all register setting*/
   delay_ms(10);
SYS_Init();
// SYS_UnlockReg();
   SYS_LockReg();
EADC_Init();
PGA_Init();
GPIO_Init();
ECAP_Init();
Timer0_Init();
Timer1_Init();
EPWM_Init();
   USCI_UART_Open(USCI1, 9600);
RXD_set();
Motor_Start();
u8_StopMotor_Flag=1;
   SYS_UnlockReg();
FMC_Open();
   first_set_Flag=FMC_Read(first_base);
if(first_set_Flag==0x19)
{
set_xiansudu=FMC_Read(sudu_base);
}
FMC_Close();
WDT_Open(WDT_TIMEOUT_2POW14, 0, TRUE, FALSE);
SYS_LockReg();

set_para();//设置参数
   Motor_Start();

get_shijichangdu(666666);
TM1668_Init(size[mishu[0]],size[mishu[1]],size[mishu[2]],size[mishu[3]],size[mishu[4]],size[mishu[5]],0x01);//显示实际长度
NVIC_Configuration();

作者: Angus 时间: 2023-3-15 14:05
写FLASH，请参考BSP中的代码，写之前要检测VDD, 电压低就不要写了，VDD 还要加大电容，防止刚检测完VDD不低，就开始写FLASH, 然后没电了，数据就乱了。

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-15 14:57

Angus 发表于 2023-3-15 14:05
写FLASH，请参考BSP中的代码，写之前要检测VDD, 电压低就不要写了，VDD 还要加大电容，防止刚检测完VDD不 ...

可以使用BOD吗，当BOD检测到VDD电压跌了到4.3V时产生BOD中断，然后关闭B0D中断，写入保存？

作者: Angus 时间: 2023-3-15 16:59
可以用BOD 中断，但是，硬件上必须有大电容，如果有耗电较大的元件与MCU 共用电源，还要接一个二极管。如果写FLASH 中间过程，掉电了，电容里的电足以维持到写完FLASH。

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-16 11:07
二极管怎么接？一端接5V，一端接地吗？硬件上我电源芯片5V输出端有大电容 25V1000uf，mcu端有16v220uf。[img][/img]

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-16 11:13
mcu外的电容

1678936355482.png (19.96 KB, 下载次数: 601)

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-16 11:14
类似这种装二极管吗？

1678936252143.png (18.75 KB, 下载次数: 590)

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-16 11:38
如果我选择BOD中断，是不是我这个欠压使能和欠压复位就不能打勾了

1678937847512.png (3.01 KB, 下载次数: 596)

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-23 10:00
您好？

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-23 10:01

Angus 发表于 2023-3-15 16:59
可以用BOD 中断，但是，硬件上必须有大电容，如果有耗电较大的元件与MCU 共用电源，还要接一个二极管。如果 ...

您好，选择bod中断后，跟我下载器配置有关系吗？我在下面发了图片，然后二极管是怎么接？接了二级管不就有0.7v压降了

作者: Angus 时间: 2023-3-23 13:49

FLASH 页擦除启动后，代码执行停住，等20ms 后CPU才会继续执行代码。

启动擦除前检测VCC不低，但是刚启动 FLASH 擦除就掉电了，这时只能依靠电容里的电，维持MCU 工作，所以这个电容要加大。

如果VCC 上还并联着一个耗电很大的电路，可能1000uF电容，也是掉电后不到20ms 没电了。这时该怎么办呢？这个问题留给你思考

，办法有多种。

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-23 16:37

Angus 发表于 2023-3-23 13:49
FLASH 页擦除启动后，代码执行停住，等20ms 后CPU才会继续执行代码。

启动擦除前检测VCC不低，但是刚启 ...

可以图中电容左端接个二极管，我发现串口与flash读写一起使用时会出现卡死现象

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-23 16:39

liyuloveyou 发表于 2023-3-23 16:37
可以图中电容左端接个二极管，我发现串口与flash读写一起使用时会出现卡死现象 ...

FLASH 页擦除启动后，代码执行停住，等20ms 后CPU才会继续执行代码。

一旦启动flash页擦除我的程序代码就会自动停止执行吗，然后20ms才会继续运作吗，是芯片特性吗？我把flash擦除放在定时器中断里了。。。

作者: Angus 时间: 2023-3-23 21:05
本帖最后由 Angus 于 2023-3-23 21:06 编辑

liyuloveyou 发表于 2023-3-23 16:39
FLASH 页擦除启动后，代码执行停住，等20ms 后CPU才会继续执行代码。

一旦启动flash页擦除我的程序代 ...

这是FLASH 的特性，哪个公司的芯片都一样。擦除一个扇区需要几十毫秒，这期间不能读出数据。

这个时候如果UART来数据了，UART能接收，若UART 中断代码在FLASH 中，无法执行，如果UART 速率又很快，连续发过来数据，缓存满了就会丢数据。如果UART 中断代码在RAM 中，则可以执行中断代码读出数据。

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-27 08:37

Angus 发表于 2023-3-23 21:05
这是FLASH 的特性，哪个公司的芯片都一样。擦除一个扇区需要几十毫秒，这期间不能读出数据。

这个时候如 ...

在读写擦除 date flash的时候我要关闭所有中断吗？

作者: Angus 时间: 2023-3-27 09:15

liyuloveyou 发表于 2023-3-27 08:37
在读写擦除 date flash的时候我要关闭所有中断吗？

不需要关中断。

擦写FLSAH时，

如果代码在FLASH 里执行，CPU无法取指令，代码执行停止。中断也不例外。

如果代码在RAM 中执行，CPU 可以取指令，仍可以执行代码，有中断能正常执行，但是中断向量表也要放RAM中。

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-27 09:31

Angus 发表于 2023-3-27 09:15
不需要关中断。

擦写FLSAH时，

我的代码是在FLASH ，APROM里执行，我程序里设置了按键后3S后擦写dataflash保存参数。那在我擦写的时候对我程序有影响吗？这样子合理吗？ BOD我测试了我们外设有数码管比较耗电，不能实现bod保存。

作者: liyuloveyou 时间: 2023-3-27 11:07

Angus 发表于 2023-3-27 09:15
不需要关中断。

擦写FLSAH时，

在工作的时候擦写对程序时序有影响吗

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