N76E003 flash模拟EEPROM例程

jamesliu · 发表于 2017-12-28 10:26:10

本帖最后由 jamesliu 于 2019-4-17 13:17 编辑

本例程可以一次读写多个字节，支持跨页读写。并且在写入前会对待写入区域检测是否是空白的，如果空白就不执行擦除动作就直接写入数据以节省时间。本例程只是用在APROM读写APROM,所以代码只能放在APROM中运行。

N76E003 flash.zip (2.44 KB, 下载次数: 1697)

发表于 2018-4-7 11:37:11

为什么我试验在003里面不好用呢仿真就死在里面了

jamesliu · 发表于 2018-4-8 18:02:03

可能你使能BOD功能，而在写flash时VDD电压低于BOD的电压，就会出现写入失败。
那就要在写flash前将BOD关闭了才行

发表于 2018-5-10 10:08:52

我使用你的例程，先写后读是正确的，如果屏蔽写入，只是读，数据都是ff，不知道为什么

jamesliu · 发表于 2018-5-11 09:18:31

游客 61.190.18.x 发表于 2018-5-10 10:08
我使用你的例程，先写后读是正确的，如果屏蔽写入，只是读，数据都是ff，不知道为什么 ...

那是你在下载代码时选择了芯片flash数据全部擦除，把上次写的数据给擦了。到options utilities setting 中选择erase used sectors

发表于 2018-5-29 08:32:19

楼主你好啊，请问为什么我用你的例程调试，写入成功了，（我用ICP工具读取片上数据查看过，对应的地址的数据是正确写入了），但是读取就错误了，读出来有数据，但是数据是错的，这个会是什么原因导致？

发表于 2018-6-23 19:55:35

发表于 2018-7-21 17:59:46

你好，N76E003的LDROM开辟4K后，地址是怎么算的。手册上说从LDROM启动是从0X0000开始计算地址（假设开辟4kLDROM）。。如果是从APROM启动的话，LDROM地址是从0X0000开始计算，还是接在APROM地址的后面。还是说开辟LDROM4k后，地址随你自己定，分1K在0000H开始 3K在5000H开始。有没有大神指导一下。。。

jamesliu · 发表于 2018-7-24 11:24:01

游客 114.222.230.x 发表于 2018-7-21 17:59
你好，N76E003的LDROM开辟4K后，地址是怎么算的。手册上说从LDROM启动是从0X0000开始计算地址（假设开辟4kL ...

对于003的CPU来说LDROM和APROM的起始地址都是0x0000

发表于 2018-8-10 15:33:30

游客 221.207.178.x 发表于 2018-4-7 11:37
为什么我试验在003里面不好用呢仿真就死在里面了

怎么解决的，我用也不行啊

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