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nm1120程序驱动高压bldc电机,下载器怎么配置好

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发布时间: 2023-3-15 10:45

正文摘要:

各位大佬,nm1120程序驱动高压bldc电机,下载器怎么配置好? 欠压电压选择多少?我是5V供电 欠压使能和欠压复位这边 启动后I/O状态我选择什么

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回复 Angus 发表于 2023-3-27 09:15:24
liyuloveyou 发表于 2023-3-27 08:37
在读 写 擦除 date flash的时候  我要关闭所有中断吗?

不需要关中断。

擦写FLSAH时,

如果代码在FLASH 里执行,CPU无法取指令,代码执行停止。中断也不例外。

如果代码在RAM 中执行,CPU 可以取指令,仍可以执行代码,有中断能正常执行,但是中断向量表也要放RAM中。
回复 liyuloveyou 发表于 2023-3-27 11:07:07
Angus 发表于 2023-3-27 09:15
不需要关中断。

擦写FLSAH时,

在工作的时候 擦写 对程序 时序有影响吗
回复 liyuloveyou 发表于 2023-3-27 09:31:50
Angus 发表于 2023-3-27 09:15
不需要关中断。

擦写FLSAH时,

我的代码是在FLASH ,APROM里执行,我程序里设置了按键后3S后擦写dataflash保存参数。那在我擦写的时候 对我程序有影响吗? 这样子合理吗?  BOD我测试了我们外设有数码管 比较耗电,不能实现bod保存。
回复 liyuloveyou 发表于 2023-3-27 08:37:58
Angus 发表于 2023-3-23 21:05
这是FLASH 的特性,哪个公司的芯片都一样。擦除一个扇区需要几十毫秒,这期间不能读出数据。

这个时候如 ...

在读 写 擦除 date flash的时候  我要关闭所有中断吗?
回复 Angus 发表于 2023-3-23 21:05:16
本帖最后由 Angus 于 2023-3-23 21:06 编辑
liyuloveyou 发表于 2023-3-23 16:39
FLASH 页擦除启动后,代码执行停住,等20ms 后CPU才会继续执行代码。

一旦启动flash页擦除 我的程序代 ...

这是FLASH 的特性,哪个公司的芯片都一样。擦除一个扇区需要几十毫秒,这期间不能读出数据。

这个时候如果UART来数据了,UART能接收,若UART 中断代码在FLASH 中,无法执行,如果UART 速率又很快,连续发过来数据,缓存满了就会丢数据。如果UART 中断代码在RAM 中,则可以执行中断代码读出数据。
回复 liyuloveyou 发表于 2023-3-23 16:39:31
liyuloveyou 发表于 2023-3-23 16:37
可以图中电容左端接个二极管,我发现 串口与flash读写一起使用时会出现卡死现象  ...


FLASH 页擦除启动后,代码执行停住,等20ms 后CPU才会继续执行代码。

一旦启动flash页擦除 我的程序代码就会自动停止执行吗,然后20ms才会继续运作吗,是芯片特性吗?我把flash擦除放在定时器中断里了。。。  
回复 liyuloveyou 发表于 2023-3-23 16:37:04
Angus 发表于 2023-3-23 13:49
FLASH 页擦除启动后,代码执行停住,等20ms 后CPU才会继续执行代码。

启动擦除前检测VCC不低,但是刚启 ...

可以图中电容左端接个二极管,我发现 串口与flash读写一起使用时会出现卡死现象
回复 Angus 发表于 2023-3-23 13:49:21

FLASH 页擦除启动后,代码执行停住,等20ms 后CPU才会继续执行代码。

启动擦除前检测VCC不低,但是刚启动 FLASH 擦除就掉电了,这时只能依靠电容里的电,维持MCU 工作,所以这个电容要加大。


如果VCC 上还并联着一个耗电很大的电路,可能1000uF电容,也是掉电后不到20ms 没电了。这时该怎么办呢?  这个问题留给你思考,办法有多种。

回复 liyuloveyou 发表于 2023-3-23 10:01:51
Angus 发表于 2023-3-15 16:59
可以用BOD 中断,但是,硬件上必须有大电容,如果有耗电较大的元件与MCU 共用电源,还要接一个二极管。如果 ...

您好,选择bod中断后,跟我下载器配置有关系吗?我在下面发了图片,然后二极管是怎么接?接了二级管不就有0.7v压降了
新唐MCU