FAQ
NuForum
用户名
Email
自动登录
找回密码
密码
登录
立即注册
只需一步,快速开始
登录
注册
搜索
搜索
搜索
热搜
NANO
NUC
MINI51F
M051
开发板
研讨会
视频
本版
帖子
用户
本版
帖子
用户
请
登录
后使用快捷导航
没有帐号?
立即注册
道具
勋章
任务
留言板
群组
设置
我的收藏
退出
牛卧堂MCU技术交流
»
首页
›
MCU/MPU经验讨论
›
新唐Cortex-M4 MCU技术交流
›
关于M451RG6E的一些问题
返回列表
关于M451RG6E的一些问题
[复制链接]
电梯直达
楼主
jimrat
发表于 2015-2-5 10:19:27
|
只看该作者
|
倒序浏览
|
阅读模式
芯片型号M451RG6E,请问:
1、IO 的切换速度是否和内核一致?
2、flash的读写是否需要等待,等待几个时钟?
3、目前这款芯片是否有大规模的应用,特别是工业领域?
谢谢各位大神。
post_newreply
分享到:
QQ好友和群
QQ空间
腾讯微博
腾讯朋友
收藏
0
顶
0
踩
0
回复
使用道具
举报
沙发
Angus
发表于 2015-2-12 10:08:30
|
只看该作者
I/O的速度可达36M。I/O可输出36MHz的波形,幅度到电源到地,频率再高,在高温时会不可靠。
Flash做了总线加宽和优化。但指令跳转时仍会等一两个时钟, 可把代码放到RAM,并把RAM映射到0x10000000地址——有数据和指令两条总线读写这个区域,这样代码执行速度会达到Cortex-M4核的最优状态。
M451系列就是在工业领域应用的,抗干扰性能好,同时频率没做太高,只做到72MHz。
回复
支持
反对
使用道具
举报
返回列表
高级模式
B
Color
Image
Link
Quote
Code
Smilies
|
上传
点击附件文件名添加到帖子内容中
描述
阅读权限
本版积分规则
发表回复
回帖后跳转到最后一页
新唐MCU